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是什么在影響LED封裝中的取光效率?

LED 被稱為第四代照明光源或綠色光源,具有節(jié)能、環(huán)保、壽命長(zhǎng)、體積小等特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于各種指示、顯示、裝飾、背光源、普通照明和城市夜景等領(lǐng)域。根據(jù)使用功...

LED 被稱為第四代照明光源或綠色光源,具有節(jié)能、環(huán)保、壽命長(zhǎng)、體積小等特點(diǎn),廣泛應(yīng)用于各種指示、顯示、裝飾、背光源、普通照明和城市夜景等領(lǐng)域。根據(jù)使用功能的不同,可以將其劃分為信息顯示、信號(hào)燈、車(chē)用燈具、液晶屏背光源、通用照明五大類。

常規(guī)LED燈存在著亮度不足等缺憾,而導(dǎo)致普及率不夠。功率型LED燈卻有著亮度足使用壽命長(zhǎng)等優(yōu)勢(shì),但是功率型LED卻有著封裝等技術(shù)困難,下面就簡(jiǎn)單分析一下影響功率型LED封裝取光效率的因素。

影響取光效率的封裝要素

1、散熱技術(shù)

對(duì)于由PN結(jié)組成的發(fā)光二極管,當(dāng)正向電流從PN結(jié)流過(guò)時(shí),PN結(jié)有發(fā)熱損耗,這些熱量經(jīng)由粘結(jié)膠、灌封材料、熱沉等,輻射到空氣中,在這個(gè)過(guò)程中每一部分材料都有阻止熱流的熱阻抗,也就是熱阻,熱阻是由器件的尺寸、結(jié)構(gòu)及材料所決定的固定值。

設(shè)發(fā)光二極管的熱阻為Rth(℃/W),熱耗散功率為PD(W),此時(shí)由于電流的熱損耗而引起的PN結(jié)溫度上升為:

T(℃)=Rth&TImes;PD

PN結(jié)結(jié)溫為:

TJ=TA+Rth&TImes;PD

其中TA為環(huán)境溫度。由于結(jié)溫的上升會(huì)使PN結(jié)發(fā)光復(fù)合的幾率下降,發(fā)光二極管的亮度就會(huì)下降。同時(shí),由于熱損耗引起的溫升增高,發(fā)光二極管亮度將不再繼續(xù)隨著電流成比例提高,即顯示出熱飽和現(xiàn)象。另外,隨著結(jié)溫的上升,發(fā)光的峰值波長(zhǎng)也將向長(zhǎng)波方向漂移,約0.2-0.3nm/℃,這對(duì)于通過(guò)由藍(lán)光芯片涂覆YAG熒光粉混合得到的白色LED來(lái)說(shuō),藍(lán)光波長(zhǎng)的漂移,會(huì)引起與熒光粉激發(fā)波長(zhǎng)的失配,從而降低白光LED的整體發(fā)光效率,并導(dǎo)致白光色溫的改變。

對(duì)于功率發(fā)光二極管來(lái)說(shuō),驅(qū)動(dòng)電流一般都為幾百毫安以上,PN結(jié)的電流密度非常大,所以PN結(jié)的溫升非常明顯。對(duì)于封裝和應(yīng)用來(lái)說(shuō),如何降低產(chǎn)品的熱阻,使PN結(jié)產(chǎn)生的熱量能盡快的散發(fā)出去,不僅可提高產(chǎn)品的飽和電流,提高產(chǎn)品的發(fā)光效率,同時(shí)也提高了產(chǎn)品的可靠性和壽命。為了降低產(chǎn)品的熱阻,首先封裝材料的選擇顯得尤為重要,包括熱沉、粘結(jié)膠等,各材料的熱阻要低,即要求導(dǎo)熱性能良好。其次結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)要合理,各材料間的導(dǎo)熱性能連續(xù)匹配,材料之間的導(dǎo)熱連接良好,避免在導(dǎo)熱通道中產(chǎn)生散熱瓶頸,確保熱量從內(nèi)到外層層散發(fā)。同時(shí),要從工藝上確保,熱量按照預(yù)先設(shè)計(jì)的散熱通道及時(shí)的散發(fā)出去。

2、填充膠的選擇

根據(jù)折射定律,光線從光密介質(zhì)入射到光疏介質(zhì)時(shí),當(dāng)入射角達(dá)到一定值,即大于等于臨界角時(shí),會(huì)發(fā)生全發(fā)射。以GaN藍(lán)色芯片來(lái)說(shuō),GaN材料的折射率是2.3,當(dāng)光線從晶體內(nèi)部射向空氣時(shí),根據(jù)折射定律,臨界角θ0=sin-1(n2/n1)。

其中n2等于1,即空氣的折射率,n1是GaN的折射率,由此計(jì)算得到臨界角θ0約為25.8度。在這種情況下,能射出的光只有入射角≤25.8度這個(gè)空間立體角內(nèi)的光。據(jù)報(bào)導(dǎo),目前GaN芯片的外量子效率在30%-40%左右,因此,由于芯片晶體的內(nèi)部吸收,能射出到晶體外面光線的比例很少。據(jù)報(bào)導(dǎo),目前GaN芯片的外量子效率在30%-40%左右。同樣,芯片發(fā)出的光要透過(guò)封裝材料,傳送到空間,也要考慮材料對(duì)取光效率的影響。

所以,為了提高LED產(chǎn)品封裝的取光效率,必須提高n2的值,即提高封裝材料的折射率,以提高產(chǎn)品的臨界角,從而提高產(chǎn)品的封裝發(fā)光效率。同時(shí),封裝材料對(duì)光線的吸收要小。為了提高出射光的比例,封裝的外形最好是拱形或半球形,這樣,光線從封裝材料射向空氣時(shí),幾乎是垂直射到界面,因而不再產(chǎn)生全反射。

3、反射處理

反射處理主要有兩方面,一是芯片內(nèi)部的反射處理,二是封裝材料對(duì)光的反射,通過(guò)內(nèi)、外兩方面的反射處理,來(lái)提高從芯片內(nèi)部射出的光通比例,減少芯片內(nèi)部吸收,提高功率LED成品的發(fā)光效率。從封裝來(lái)說(shuō),功率型LED通常是將功率型芯片裝配在帶反射腔的金屬支架或基板上,支架式的反射腔一般是采取電鍍方式提高反射效果,而基板式的反射腔一般是采用拋光方式,有條件的還會(huì)進(jìn)行電鍍處理,但以上兩種處理方式受模具精度及工藝影響,處理后的反射腔有一定的反射效果,但并不理想。目前國(guó)內(nèi)制作基板式的反射腔,由于拋光精度不足或金屬鍍層的氧化,反射效果較差,這樣導(dǎo)致很多光線在射到反射區(qū)后被吸收,無(wú)法按預(yù)期的目標(biāo)反射至出光面,從而導(dǎo)致最終封裝后的取光效率偏低。

4、熒光粉選擇與涂覆

對(duì)于白色功率型LED來(lái)說(shuō),發(fā)光效率的提高還與熒光粉的選擇和工藝處理有關(guān)。為了提高熒光粉激發(fā)藍(lán)色芯片的效率,首先熒光粉的選擇要合適,包括激發(fā)波長(zhǎng)、顆粒度大小、激發(fā)效率等,需全面考核,兼顧各個(gè)性能。其次,熒光粉的涂覆要均勻,最好是相對(duì)發(fā)光芯片各個(gè)發(fā)光面的膠層厚度均勻,以免因厚度不均造成局部光線無(wú)法射出,同時(shí)也可改善光斑的質(zhì)量。

綜述:

良好的散熱設(shè)計(jì)對(duì)提高功率型LED產(chǎn)品發(fā)光效率有著顯著的作用,同時(shí)也是確保產(chǎn)品壽命和可靠性的前提。而設(shè)計(jì)良好的出光通道,這里著重指反射腔、填充膠等的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、材料選擇和工藝處理,可以有效提高功率型LED的取光效率。對(duì)功率型白光LED來(lái)說(shuō),熒光粉的選擇和工藝設(shè)計(jì),對(duì)光斑的改善和發(fā)光效率的提高也至關(guān)重要。

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