井式坩堝爐煅燒真空或惰性氣體的高純度化合物 退火或擴散半導體晶片多達6“直徑

　　井式坩堝爐以進口含鉬電阻絲或者硅碳棒為加熱元件，采用雙層殼體結構和智能化程序控溫系統(tǒng)，移相觸發(fā)、可控硅控制，爐膛采用氧化鋁多晶體纖維材料，雙層爐殼間配有風冷系統(tǒng)，能快速升降溫，具有真空裝置，該爐具有溫場均衡、表面溫度低、升降溫度速率快、節(jié)能等優(yōu)點。

　　井式坩堝爐的主要用途：高校、科研院所、工礦企業(yè)主要用于煅燒真空或惰性氣體中的高純度化合物，退火或擴散半導體晶片，也可以用于烘燒或燒結陶瓷材料等。

　　井式坩堝爐，集控制系統(tǒng)與爐膛一體，其中爐膛保溫材料采用整體真空吸附成型，程控鑲嵌進口電阻絲。超大口徑的石英爐腔和真空密封法蘭系統(tǒng)，可在流動氣氛和真空狀態(tài)下快速加熱樣品。

　　井式坩堝爐主要用于金屬、非金屬及化合物材料進行燒結、融化、分析?？刂泼姘迮溆兄悄軠囟日{(diào)節(jié)儀，控制電源開關、主加熱工作/停止按鈕，以便隨時觀察。

　　井式坩堝爐的特點如下：

　　1、高品質(zhì)慘鉬鐵鉻鋁合金作為發(fā)熱元件，可加熱到1200℃ 高純石英杯：205外徑x 190內(nèi)徑x 340高mm

　　2、高精度不銹鋼針閥和真空表及真空法蘭可直接使用。

　　3、內(nèi)置30段可編程精密數(shù)字溫度控制器可控制升降溫速率。